Физика Лекции и примеры Уравнение бегущей волны. Интерференция волн Звуковые волны Ультразвук и его применение Электромагнитные волны Элементы электронной оптики Интерференция света Дифракция света Понятие о голографии

[an error occurred while processing this directive]

Фотопроводимость полупроводников

Фотопроводимость полупроводников — увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. В первом случае при поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны (hn ³ DE), могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. 324, а), что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). В результате возникает собственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками.

Если полупроводник содержит примеси, то фотопроводимость может возникать и при hn < DE: для полупроводников с донорной примесью фотон должен обладать энергией hn ³ DЕD, а для полупроводников с акцепторной примесью — hn ³ DЕA. При поглощении света примесными центрами происходит переход электронов с донорных уровней в зону проводимости в случае полупроводника n-типа (рис. 324, б) или из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводника p-типа (рис. 324, в). В результате возникает примесная фотопроводимость, являющаяся чисто электронной для полупроводников п-типа и чисто дырочной для полупроводников p-типа.

Таким образом, если

 (244.1)

(DEп — в общем случае энергия активации примесных атомов), то в полупроводнике возбуждается фотопроводимость. Из (244.1) можно определить красную границу фотопроводимости — максимальную длину волны, при которой еще фотопроводимость возбуждается:

Учитывая значения DE и DEп для конкретных полупроводников, можно показать, что красная граница фотопроводимости для собственных полупроводников приходится на видимую область спектра, для примесных же полупроводников — на инфракрасную.

На рис. 325 представлена типичная зависимость фотопроводимости j и коэффициента поглощения { от длины волны l падающего на полупроводник света. Из рисунка следует, что при l>l0 фотопроводимость действительно не возбуждается. Спад фотопроводимости в коротковолновой части полосы поглощения объясняется большой скоростью рекомбинации в условиях сильного поглощения в тонком поверхностном слое толщиной х»1 мкм (коэффициент поглощения »106 м–1).

Наряду с поглощением, приводящим к появлению фотопроводимости, может иметь место экситонный механизм поглощения. Экситоны представляют собой квазичастицы — электрически нейтральные связанные состояния электрона и дырки, образующиеся в случае возбуждения с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны. Уровни энергии экситонов располагаются у дна зоны проводимости. Так как экситоны электрически нейтральны, то их возникновение в полупроводнике не приводит к появлению дополнительных носителей тока, вследствие чего экситонное поглощение света не сопровождается увеличением фотопроводимости.

227.  Водород находится при температуре T=300К. Найти среднюю кинетическую энергию <εвр>  вращатель­ного движения одной молекулы, а также суммарную кинетическую энергию Eк всех молекул этого газа; коли­чество водорода ν = 0,5 моль.

H2

ν = 0,5 моль

T=300К

Средняя кинетическая энергия вращательного движения одной молекулы равна , где k=1.38×10-23Дж/К – постоянная Больцмана, iвр – поступательные степени свободы молекулы (iвр=2 в нашем случае т.к. молекула двухатомная). Поэтому . Подставляем числа. .

Средняя кинетическая энергия поступательного движения одной молекулы равна , где k=1.38×10-23Дж/К – постоянная Больцмана, i – поступательные степени свободы молекулы (i=3 в нашем случае т.к. три поступательных движения возможны).

Общее количество молекул в ν молей вещества равно N=NA×ν, где NA=6.023×1023моль-1 – число Авогадро. Поэтому суммарная кинетическая энергия равна , где R=8.31Дж/(К×моль) – газовая постоянная.

Поэтому

  .

Ek = ?

[an error occurred while processing this directive]
Собственная проводимость полупроводников